Најважније из лекције

Фотоотпорник: Полупроводнички сензор чији се отпор смањује под дејством светлости захваљујући унутрашњем фотоефекту (фотопроводљивости).
Биполарни транзистор (BJT): Трослојни полупроводнички елемент (\(npn\) или \(pnp\)) са два \(pn\)-споја и три извода: емитор (E), база (B) и колектор (C). Главне функције су појачање сигнала и прекидање струје.
Режими рада:
  • Директан активан: \(BE\) директно, \(BC\) инверзно \(\rightarrow\) појачавачки режим.
  • Засићење: оба споја директно \(\rightarrow\) прекидач укључен.
  • Закочење: оба споја инверзно \(\rightarrow\) прекидач искључен.
Спој са заједничким емитором: Излазна струја \(I_C\) у директној активној области директно је контролисана малом улазном струјом базе \(I_B\), што омогућава значајно струјно појачање.
Фотопроводљивост (унутрашњи фотоефекат) је појава значајног повећања електричне проводљивости полупроводника услед осветљавања. Апсорпцијом фотона светлости, валентни електрони прелазе у проводну зону, чиме расте концентрација слободних носилаца наелектрисања.
Фотоотпорник је полупроводничка компонента чија се електрична отпорност смањује (а проводљивост повећава) при излагању светлости.
Фотоотпорници се користе као сензори и детектори светлости у уређајима као што су фото-апарати, улична расвета и алармни системи.
Шта се дешава са отпорношћу фотоотпорника када се соба у којој се налази замрачи?
Смањењем осветљености смањује се број генерисаних слободних носилаца наелектрисања, па електрична проводљивост опада, а отпорност фотоотпорника значајно расте.
Транзистор је активна полупроводничка компонента која има две основне функције у електричним колима: појачавачку (појачање сигнала малих амплитуда) и прекидачку (укључивање и прекидање струјног тока).
Према врсти носилаца наелектрисања, транзистори се деле на:
  • Биполарне транзисторе (BJT): струју чине оба типа носилаца - и електрони и шупљине.
  • Униполарне транзисторе (FET, MOSFET): струју чини само један тип носилаца (или електрони или шупљине); представљају основу интегрисаних кола.
Структура биполарног транзистора: Састоји се од три полупроводничка слоја и два \(pn\)-споја. Слојеви се називају емитор (E), база (B) и колектор (C). База представља танaк средњи слој. Емитор има знатно већу концентрацију примеса у односу на колектор.
Тип транзистора Распоред слојева Смер струје кроз директно поларисан емиторски спој
npn n-тип (емитор) – p-тип (база) – n-тип (колектор) Од базе ка емитору (стрелица на емитору усмерена од базе)
pnp p-тип (емитор) – n-тип (база) – p-тип (колектор) Од емитора ка бази (стрелица на емитору усмерена ка бази)
Цртеж треба да прикаже две главне групе елемената: шематске приказе структуре и графичке симболе за npn и pnp биполарне транзисторе.

**Прва група: Шематски прикази структуре npn и pnp транзистора.**
Ова група садржи два правоугаона блока, постављена један поред другог са адекватним размаком.
1.  **NPN структура:** Леви блок је подељен на три вертикална слоја једнаке висине. Слојеви, гледано с лева на десно, треба да буду: први слој, средњи слој и трећи слој. Први слој је 'n-тип' материјал (емитор, E), средњи слој је 'p-тип' материјал (база, B), а трећи слој је 'n-тип' материјал (колектор, C). Средњи слој (база, B) треба да буде приметно тањи (нпр. 1/3 ширине спољних слојева) од спољних слојева (емитор, E и колектор, C). Текст 'n-тип' и 'p-тип' треба да буде центриран унутар одговарајућег слоја, док ознаке 'E', 'B', 'C' треба да буду постављене поред спољне ивице сваког слоја. Вертикалне линије између слојева јасно означавају pn-спојеве.
2.  **PNP структура:** Десни блок је идентичне величине и структуре као NPN блок, подељен на три вертикална слоја. Слојеви, гледано с лева на десно, треба да буду: први слој, средњи слој и трећи слој. Први слој је 'p-тип' материјал (емитор, E), средњи слој је 'n-тип' материјал (база, B), а трећи слој је 'p-тип' материјал (колектор, C). Средњи слој (база, B) такође треба да буде приметно тањи од спољних слојева. Ознаке типа материјала и прикључака треба да буду постављене на исти начин као код NPN структуре.

**Друга група: Графички симболи за npn и pnp транзисторе.**
Ова група садржи два стандардна графичка симбола транзистора, постављена испод структурних приказа, један поред другог, са адекватним размаком.
1.  **NPN симбол:** Симбол је уписан у круг. Централни део симбола је хоризонтална линија која представља базу (B), са прикључком који излази хоризонтално налево. Од средине базе излази вертикална линија која се дели на две дијагоналне линије. Горња дијагонална линија представља колектор (C), са прикључком који излази нагоре-десно. Доња дијагонална линија представља емитор (E), са прикључком који излази надоле-десно. На линији емитора (E) налази се стрелица која показује *од* базе *ка* емитору (тј. ка споља од центра симбола). Сви прикључци (B, E, C) треба да буду јасно означени поред њихових крајева.
2.  **PNP симбол:** Идентичан по форми NPN симболу, такође уписан у круг, са прикључцима база (B), колектор (C) и емитор (E) постављеним на исти начин и означеним поред њихових крајева. Међутим, на линији емитора (E) налази се стрелица која показује *ка* бази *од* емитора (тј. ка унутра према центру симбола).
Режим рада транзистора одређен је смером поларизације његова два \(pn\)-споја: споја база–емитор (\(U_{BE}\)) и споја база–колектор (\(U_{BC}\)).
Режим рада Спој база–емитор (\(U_{BE}\)) Спој база–колектор (\(U_{BC}\)) Примена
Директан активан режим Директно поларисан Инверзно поларисан Појачавачка кола (појачавачи)
Режим засићења (провођења) Директно поларисан Директно поларисан Прекидачка и логичка кола (стање „укључено”)
Режим закочења (блокирања) Инверзно поларисан Инверзно поларисан Прекидачка и логичка кола (стање „искључено”)
Инверзан активан режим Инверзно поларисан Директно поларисан Ретко се примењује
У ком режиму ради npn-транзистор у појачавачу аудио-сигнала и како су тада поларисани његови спојеви?
У појачавачким колима транзистор ради у директном активном режиму. Тада је спој база–емитор директно поларисан, а спој база–колектор инверзно поларисан.
Спој са заједничким емитором је најчешћи начин везивања транзистора у електронским колима.
Величине у споју са заједничким емитором:
  • Улазне величине: струја базе \(I_B\) (независно променљива) и напон база–емитор \(U_{BE}\) (зависно променљива).
  • Излазне величине: напон колектор–емитор \(U_{CE}\) (независно променљива) и струја колектора \(I_C\) (зависно променљива).
Улазна струјно-напонска карактеристика: представља зависност \(I_B = f(U_{BE})\) при константном напону \(U_{CE}\) и има облик карактеристике директно поларисане диоде.
Излазна струјно-напонска карактеристика: представља фамилију кривих \(I_C = f(U_{CE})\) за различите константне вредности струје базе \(I_B\). На њој се разликују:
  • Област засићења: део где струја \(I_C\) нагло расте са порастом напона \(U_{CE}\).
  • Директна активна област: подручје где је струја \(I_C\) практично независна од напона \(U_{CE}\), већ је одређена улазном струјом базе \(I_B\).
На основу снимљених струјно-напонских карактеристика могу се одредити: струјно појачање транзистора (\(\beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}\)), излазна отпорност у активном режиму и снага дисипације ослобођена на транзистору (\(P = U_{CE} \cdot I_C\)).

Задаци за вежбање

Задатак 1 (лак): Због чега се биполарни транзистор назива „биполарним”, а транзистори са ефектом поља (FET) „униполарним”?
Код биполарних транзистора у провођењу електричне струје истовремено учествују оба типа носилаца наелектрисања (слободни електрони и шупљине). Код униполарних транзистора (FET) струју чини само један тип носилаца (искључиво електрони или искључиво шупљине).
Задатак 2 (средњи): За одређени транзистор у колу измерени су напони на спојевима: спој база–емитор има напон \(U_{BE} = 0{,}7\text{ V}\) (директна поларизација), а спој база–колектор \(U_{BC} = 5\text{ V}\) (директна поларизација). У ком режиму рада се налази транзистор и која је његова практична функција у том стању?
Када су оба споја (\(pn\)-спој база–емитор и \(pn\)-спој база–колектор) директно поларисана, транзистор се налази у режиму засићења (провођења).
У овом режиму транзистор се понаша као затворен (укључен) прекидач и користи се у логичким и прекидачким колима.
Задатак 3 (тежак): Транзистор ради у директном активном режиму у споју са заједничким емитором. Када се струја базе промени за \(\Delta I_B = 10\ \mu\text{A}\), струја колектора се промени за \(\Delta I_C = 1{,}5\text{ mA}\). Ако је радна тачка подешена на \(U_{CE} = 6\text{ V}\) и \(I_C = 3\text{ mA}\), израчунајте:
  1. Струјно појачање транзистора \(\beta\).
  2. Снагу која се ослобађа (дисипира) на транзистору.
а) Струјно појачање у активном режиму је однос промене колекторске и базне струје: \[ \beta = \frac{\Delta I_C}{\Delta I_B} = \frac{1{,}5\text{ mA}}{10\ \mu\text{A}} = \frac{1{,}5 \cdot 10^{-3}\text{ A}}{10 \cdot 10^{-6}\text{ A}} = 150 \] б) Снага дисипације на транзистору одређена је производом излазног напона и излазне струје: \[ P = U_{CE} \cdot I_C = 6\text{ V} \cdot 3\text{ mA} = 6\text{ V} \cdot 3 \cdot 10^{-3}\text{ A} = 18 \cdot 10^{-3}\text{ W} = 18\text{ mW} \] Одговор: Струјно појачање износи \(150\), а ослобођена снага је \(18\text{ mW}\).

Савладај
домаћи
уз хиљаде решења, лекција и тестова: